[发明专利]基于纳米图形的蓝绿量子点发光二极管及制备方法

摘要

本发明公开了一种基于纳米图形的蓝绿量子点发光二极管及制备方法，主要解决现有蓝绿量子点发光二极管电荷传输效率低，表面缺陷多的问题。其自下而上包括：衬底层(1)、n型GaN层(2)、InxGa1‑xN单量子点层(3)和p型GaN层(4)，该n型GaN层上设有直径为20‑200nm，高度为3‑30nm，且分布均匀的纳米图形，该InxGa1‑xN单量子点层位于纳米图形上。本发明与传统量子点发光二极管相比，使用氧化硅纳米球阵列为掩模，通过ICP蚀刻技术得到均匀分布的纳米图形，在纳米图形上直接生长量子点，提高了电荷传输效率，降低了表面位错，能得到高效的蓝绿量子点发光二极管，可用于蓝绿光发光设备中。

主权项

1.一种基于纳米图形的蓝绿量子点发光二极管，自下而上包括：衬底层(1)、n型GaN层(2)、In_xGa_1‑xN单量子点层(3)和p型GaN层(4)，其特征在于：在n型GaN层(2)上设有直径为20‑200nm、高度为3‑30nm，且分布均匀的纳米图形，In_xGa_1‑xN(3)单量子点层位于纳米图形上，以提高量子点的电荷传输效率，减少表面位错密度。