[发明专利]用于FPGA的N模冗余配置存储单元电路在审
申请号: | 201910170169.4 | 申请日: | 2019-03-07 |
公开(公告)号: | CN109979517A | 公开(公告)日: | 2019-07-05 |
发明(设计)人: | 屈小钢 | 申请(专利权)人: | 中科亿海微电子科技(苏州)有限公司 |
主分类号: | G11C29/00 | 分类号: | G11C29/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 215028 江苏省苏州市苏州工业*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种FPGA的N模冗余配置存储单元电路,包括:2N对互锁存储单元,每一对互锁存储单元包括一个PMOS管和一个NMOS管,其中,第i个PMOS管的漏极连接第i+1个PMOS管的栅极,第2N个PMOS管的漏极连接第1个PMOS管的栅极;第i个NMOS的栅极连接第i+1个NMOS的漏极,第2N个NMOS管的栅极连接第1个NMOS管的漏极;每一对互锁存储单元的PMOS管和NMOS管的漏极互相连接,1≤i≤2N‑1;N个传输管,其栅极和源极分别互相连接;N个清零管,其栅极互相连接。本发明相较于现有技术的两端读写存储单元节省了一倍的布线,简化了布线和结构。 | ||
搜索关键词: | 漏极 存储单元 互相连接 互锁 存储单元电路 冗余配置 栅极连接 布线 读写存储单元 传输管 清零 源极 | ||
【主权项】:
1.一种用于FPGA的N模冗余配置存储单元电路,包括:2N对互锁存储单元,每一对互锁存储单元包括一个PMOS管和一个NMOS管,其中,第i个PMOS管的漏极连接第i+1个PMOS管的栅极,第2N个PMOS管的漏极连接第1个PMOS管的栅极;第i个NMOS的栅极连接第i+1个NMOS的漏极,第2N个NMOS管的栅极连接第1个NMOS管的漏极;每一对互锁存储单元的PMOS管和NMOS管的漏极互相连接,1≤i≤2N‑1;N个传输管,其栅极和源极分别互相连接;N个清零管,其栅极互相连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中科亿海微电子科技(苏州)有限公司,未经中科亿海微电子科技(苏州)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910170169.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。