[发明专利]用于FPGA的N模冗余配置存储单元电路在审

专利信息
申请号: 201910170169.4 申请日: 2019-03-07
公开(公告)号: CN109979517A 公开(公告)日: 2019-07-05
发明(设计)人: 屈小钢 申请(专利权)人: 中科亿海微电子科技(苏州)有限公司
主分类号: G11C29/00 分类号: G11C29/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 215028 江苏省苏州市苏州工业*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供了一种FPGA的N模冗余配置存储单元电路,包括:2N对互锁存储单元,每一对互锁存储单元包括一个PMOS管和一个NMOS管,其中,第i个PMOS管的漏极连接第i+1个PMOS管的栅极,第2N个PMOS管的漏极连接第1个PMOS管的栅极;第i个NMOS的栅极连接第i+1个NMOS的漏极,第2N个NMOS管的栅极连接第1个NMOS管的漏极;每一对互锁存储单元的PMOS管和NMOS管的漏极互相连接,1≤i≤2N‑1;N个传输管,其栅极和源极分别互相连接;N个清零管,其栅极互相连接。本发明相较于现有技术的两端读写存储单元节省了一倍的布线,简化了布线和结构。
搜索关键词: 漏极 存储单元 互相连接 互锁 存储单元电路 冗余配置 栅极连接 布线 读写存储单元 传输管 清零 源极
【主权项】:
1.一种用于FPGA的N模冗余配置存储单元电路,包括:2N对互锁存储单元,每一对互锁存储单元包括一个PMOS管和一个NMOS管,其中,第i个PMOS管的漏极连接第i+1个PMOS管的栅极,第2N个PMOS管的漏极连接第1个PMOS管的栅极;第i个NMOS的栅极连接第i+1个NMOS的漏极,第2N个NMOS管的栅极连接第1个NMOS管的漏极;每一对互锁存储单元的PMOS管和NMOS管的漏极互相连接,1≤i≤2N‑1;N个传输管,其栅极和源极分别互相连接;N个清零管,其栅极互相连接。
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