[发明专利]一种超低衰减低串扰弱耦合三阶OAM光纤有效

专利信息
申请号: 201910170385.9 申请日: 2019-03-07
公开(公告)号: CN109725382B 公开(公告)日: 2020-08-04
发明(设计)人: 张睿;沈磊;周红燕;刘亚萍;张磊;罗杰 申请(专利权)人: 长飞光纤光缆股份有限公司
主分类号: G02B6/02 分类号: G02B6/02;G02B6/036
代理公司: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 代理人: 胡建平
地址: 430073 湖北省*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明涉及一种超低衰减低串扰弱耦合三阶OAM光纤,包括有芯层和包层,其特征在于的芯层为三层,第一芯层的Δ1为‑0.7%~‑0.2%,R1为3.5μm~7μm,第二芯层的Δ2为0.0%~0.5%,R2为5.5μm~9μm,第三芯层的Δ3为‑0.6%~0.1%,R3为7.5μm~11.5μm,且Δ2>Δ3>Δ1,3μm≤R3‑R1≤6μm,芯层外包覆有包层,包层由一层下陷包层构成,或由下陷包层和纯二氧化硅玻璃外包层两层包层构成,下陷包层为紧密围绕芯层的包层,其Δ4为‑0.9%~‑0.6%,R4为38μm~62.5μm。本发明在1550nm通信波段最高支持三个阶数的OAM模式,不同阶数的非简并OAM模式之间具有较大的有效折射率差和较低的串扰,相同阶数的简并模之间具有较小的有效折射率差和较低的DGD。
搜索关键词: 一种 衰减 低串扰弱 耦合 oam 光纤
【主权项】:
1.一种超低衰减低串扰弱耦合三阶OAM光纤,包括有芯层和包层,其特征在于所述的芯层为三层,由内向外依次为第一芯层、第二芯层和第三芯层,所述第一芯层的相对折射率差Δ1为‑0.7%~‑0.2%,半径R1为3.5μm~7μm,所述第二芯层的相对折射率差Δ2为0.0%~0.5%,半径R2为5.5μm~9μm,所述第三芯层的相对折射率差Δ3为‑0.6%~0.1%,半径R3为7.5μm~11.5μm,且Δ2>Δ3>Δ1,3μm≤R3‑R1≤6μm,芯层外包覆有包层,所述的包层由一层下陷包层构成,或由下陷包层和纯二氧化硅玻璃外包层两层包层构成,所述的下陷包层为紧密围绕芯层的包层,其相对折射率差Δ4为‑0.9%~‑0.6%,半径R4为38μm~62.5μm。
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