[发明专利]形成氧化物层的方法和制作半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201910171202.5 | 申请日： | 2019-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN110246750A | 公开（公告）日： | 2019-09-17 |
| 发明（设计）人： | 朴秦煜;任台镇;曹仑廷;博森田;泰久降幡 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社;株式会社ADEKA |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L23/64 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 贺卫国 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种形成氧化物层的方法和制造半导体器件的方法。形成氧化物层的方法包括：在半导体衬底上形成第一材料层，所述第一材料层包含聚硅氧烷材料，其中，在所述聚硅氧烷材料包含的Si‑H1键、Si‑H2键和Si‑H3键中，Si‑H2键的比例为约40％至约90％；在惰性气氛中对所述第一材料层进行第一退火过程；和在氧化性气氛中对所述第一材料层进行第二退火过程。 | ||
| 搜索关键词： | 第一材料 氧化物层 聚硅氧烷材料 半导体器件 退火过程 氧化性气氛 衬底 半导体 制作 制造 | ||
【主权项】：
1.一种形成氧化物层的方法，所述方法包括：在半导体衬底上形成第一材料层，所述第一材料层包含聚硅氧烷材料，其中，在所述聚硅氧烷材料包含的Si‑H1键、Si‑H2键和Si‑H3键中，Si‑H2键的比例为约40％至约90％；在惰性气氛中对所述第一材料层进行第一退火过程；和在氧化性气氛中对所述第一材料层进行第二退火过程。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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