[发明专利]一种通过嫁接制备单晶金属的方法有效
| 申请号： | 201910171869.5 | 申请日： | 2019-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN111663175B | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 刘开辉;徐小志;俞大鹏;王恩哥 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | C30B1/02 | 分类号： | C30B1/02;C30B29/02 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人： | 苏爱华 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明提出一种通过嫁接制备单晶金属的方法，以已有的金属单晶A为子晶，将其放置在需要单晶化的金属B上，通过退火工艺处理，嫁接得到与子晶晶面指数相同的大尺寸单晶金属B。本发明提出的方法，解决了单晶金属难以制备的问题，通过退火工艺处理，利用小尺寸(0.05～1cm |
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| 搜索关键词： | 一种 通过 嫁接 制备 金属 方法 | ||
【主权项】：
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