[发明专利]像素单元及其制造方法、显示基板有效
| 申请号： | 201910172155.6 | 申请日： | 2019-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN109920823B | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 刘军;闫梁臣;周斌;苏同上;刘宁;宋威;刘融;冯波 | 申请（专利权）人： | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L27/12;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 赵国荣 |
| 地址： | 230012 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种像素单元及其制造方法、显示基板。该像素单元包括电介质层、开关元件和第一遮光结构。开关元件包括有源层且位于所述电介质层上，第一遮光结构至少部分与所述电介质层同层，所述第一遮光结构在所述有源层所在面上的正投影位于所述有源层在所述有源层所在面上的正投影之外。该第一遮光结构设置在所述有源层的周围，可以对沿所述电介质层射向所述有源层的侧表面的光进行遮挡，从而减少因光照射有源层产生的光生载流子导致的漏电流增加，提高开关元件的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 像素 单元 及其 制造 方法 显示 | ||
【主权项】：
1.一种像素单元，包括：电介质层；开关元件，包括有源层且位于所述电介质层上；以及第一遮光结构，至少部分与所述电介质层同层；其中，所述第一遮光结构在所述有源层所在面上的正投影位于所述有源层在所述有源层所在面上的正投影之外。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司，未经合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910172155.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
