[发明专利]一种磁性随机存储器顶电极接触及其制备方法有效
| 申请号： | 201910172475.1 | 申请日： | 2019-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN111668366B | 公开（公告）日： | 2023-10-27 |
| 发明（设计）人： | 张云森;郭一民;肖荣福;陈峻 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H10N50/01 | 分类号： | H10N50/01;H10N50/10;H10N50/80;H10B61/00;G11C11/16 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201815 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种磁性随机存储器顶电极接触的形成方法,包括如下步骤：步骤1：提供表面抛光的带金属通孔Vx(x≥1)的CMOS基底；步骤2：在经过平坦化处理之后的基底上，沉积底电极、磁性隧道结和顶电极膜层，然后进行磁性隧道结存储单元的制备；步骤3：沉积顶电极接触电介质，图形化定义顶电极接触图案，并对其进行刻蚀和非Cu填充以形成顶电极接触；步骤4：制作金属位线连接。本发明有效的增加TEC的面积，相对于TEV，本发明中的TEC结构，在降低高度的同时也增加了面积，TE的BL之间的欧姆接触电阻将会降低，非常有利于器件性能的提升。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁性 随机 存储器 电极 接触 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海磁宇信息科技有限公司，未经上海磁宇信息科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910172475.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
