[发明专利]闪存器件及其制造方法

摘要

本发明提供了一种闪存器件及其制造方法，所述闪存器件的制造方法包括：提供一衬底，在所述衬底上形成多个浅沟槽隔离结构；回刻蚀所述浅沟槽隔离结构的侧壁，以在相邻的所述浅沟槽隔离结构之间的所述衬底上形成第一沟槽，所述第一沟槽顶部的宽度大于其底部的宽度；形成浮栅于所述第一沟槽中；回刻蚀所述浅沟槽隔离结构的顶部，以形成暴露出所述浮栅的侧壁的第二沟槽，所述第二沟槽底部的宽度大于其顶部的宽度；以及，形成填充层于所述第二沟槽中，所述填充层的侧壁与所述浮栅底部的侧壁之间形成空洞。本发明的技术方案使得在浮栅的宽度增大的同时，也能够降低浮栅之间的串扰，进而使得闪存器件的可靠性得到提高。

主权项

1.一种闪存器件的制造方法，其特征在于，包括：提供一衬底，在所述衬底上形成多个浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构的顶表面高于所述衬底的顶表面；回刻蚀所述浅沟槽隔离结构的侧壁，以在相邻的所述浅沟槽隔离结构之间的所述衬底上形成第一沟槽，所述第一沟槽顶部的宽度大于其底部的宽度；形成浮栅于所述第一沟槽中，所述浮栅顶部的宽度大于其底部的宽度；回刻蚀所述浅沟槽隔离结构的顶部，以形成暴露出所述浮栅的侧壁的第二沟槽，所述第二沟槽底部的宽度大于其顶部的宽度；以及，形成填充层于所述第二沟槽中，所述填充层的侧壁与所述浮栅底部的侧壁之间形成空洞。