[发明专利]基于化合物材料MISFET器件的热电子效应表征方法

摘要

本发明涉及一种基于MISFET器件热电子效应的测试结构，包括：衬底(1)、P型外延层(2)、绝缘层(3)、钝化层(4)、栅极(5)、第一N+掺杂区(6)、源极(7)、漏极(8)、P+掺杂区(9)、第二N+掺杂区(10)、电极A(11)和电极B(12)。本实施例提供了一种热电子注入数量与能量可控技术的异质结器件测试结构和热电子效应表征方法，通过调整电压Va和Vb来控制绝缘层中热电子的注入数量，并通过调整电压Va来控制绝缘层中热电子的注入能量，解决了器件热电子注入数量和注入能量的不可控，以及非均匀注入绝缘层等问题，有助于对异质结器件中的热电子效应进行深入分析。