[发明专利]一种SiC改性的多孔高铝陶瓷材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201910174037.9 | 申请日： | 2019-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN109776078B | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 石棋;范羽宣;武敬君;林铭 | 申请（专利权）人： | 景德镇陶瓷大学 |
| 主分类号： | C04B35/10 | 分类号： | C04B35/10;C04B38/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 333000 *** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种SiC改性的多孔高铝陶瓷材料及其制备方法，在高铝陶瓷中引入包裹型碳化硅，采用氧化气氛烧结或氧化/还原气氛分温度段烧制两种烧结工艺，获得含有分布均匀的闭气孔、平均孔径3.9～5.5um、强度265～336MPa、膨胀系数低、抗热震综合性能佳的高性能高铝陶瓷材料；并有效降低了高铝陶瓷的烧成收缩率、提高高铝陶瓷产品生产效率；本发明配方与制备工艺控制简单易行，适用各种成型方法需要，容易实现规模化生产，产品性能优异，具有良好的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic 改性 多孔 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种SiC改性的多孔高铝陶瓷材料，其特征在于，所述陶瓷材料坯体原料组成的质量百分比为：氧化铝粉95～99wt％、石英0.5～2.5wt%、碳酸钙0.34～3.93wt%，外加碳化硅或包裹碳化硅0.34～1.0wt%。
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