[发明专利]一种沉积装置

摘要

本发明公开了一种低熔点以及活泼金属的膜层沉积装置，包括：真空系统、阴极弧头、强脉冲磁场、永磁体阳极筒、磁过滤管及聚焦线包。通过实施本发明，到达镀膜工件表面的离子方向性好，同时在改进的冷却阴极弧头基础之上能够沉积低熔点的金属，如Zn，Mg，Li等实现电弧镀膜；在真空的保护下也可实现活泼金属，如Na等的表面沉积，弥补了该类低熔点和活泼金属膜层沉积的技术空白。本发明磁过滤装置在核天体制靶，医药等方面有着广泛的应用前景。

主权项

1.一种沉积装置，其特征在于，包括：a)真空系统：包括沉积腔室真空获取系统和阴极法兰及阳极筒真空获取系统，方式是通过机械泵和旋片分子泵获取；阴极装靶是在常压惰性气体保护下完成，沉积完成后阴极在阳极筒内通过插板阀保持真空度在1×10^‑3‑8×10^‑3pa；b)阴极弧头：阴极弧头由阴极靶材、触发系统、陶瓷屏蔽系统、辅助阳极板，凹形冷却装置组成，凹形内冷却是通过液氮进行冷却，控制正常工作时靶材阴极温度在‑20‑50℃；其中辅助阳极系统与陶瓷屏蔽环间隙为1‑3mm，阴极材料为Zn，Sn，Mg，Pb，Bi，Na等；c)调控线包：位于阴极顶部真空室外，底部距阴极顶部平面距离为10‑11Omm，线包长度50‑100mm，匝数为10‑10000匝；线包电流为‑10‑+10A，触发频率0‑24Hz，脉宽为10‑1200μs；d)永磁体阳极筒：阳极筒内径Φ100‑150mm，直径80mm，阳极筒长度为100‑160mm；永磁体为环状内径为Φ120‑170mm，永磁体顶端距阴极触发外平面距离为10‑50mm，永磁体强度为10‑400mT；e)磁过滤直管：磁过滤直管内径为Φ60‑150mm，长度为100‑500mm，管内壁为锯齿状，齿高1‑4mm；管外设置两个功能性磁场线包，一为过渡线包，长度为20‑50mm，匝数为200‑5000匝，电流为1‑4A；一为聚焦线包，长度为20‑50mm，匝数为200‑5000匝，电流为1‑4A，频率为1‑50Hz；f)真空室内聚焦线包：线包为铜管，高度为10‑150mm，线包中铜线外径为Φ10‑12mm，内径为Φ6‑8mm，内部通入冷却水，电流100‑1000A。