[发明专利]一种X射线探测器及其制造方法

摘要

本发明公开了一种X射线探测器及其制造方法，所述X射线探测器包括基片、制备于基片之上的底电极、覆盖在底电极和基片之上的绝缘层、设置于绝缘层之上的宽带隙半导体薄膜有源层和形成于宽带隙半导体薄膜有源层上或者形成于所述绝缘层与所述宽带隙半导体薄膜有源层之间的收集电极，收集电极具体包括分立设置的第一电极和第二电极；X射线探测器工作时，在第一电极和第二电极上施加工作电压，宽带隙半导体薄膜有源层根据来自辐射源的X射线辐射能产生光生载流子；关闭辐射源后对底电极施加脉冲偏压，通过绝缘层耗尽光生载流子，以控制X射线探测器在辐照后的恢复时间。

主权项

1.一种X射线探测器，其特征在于，所述X射线探测包括：基片；底电极，制备于所述基片之上；绝缘层，覆盖在所述底电极和所述基片之上；宽带隙半导体薄膜有源层，设置于所述绝缘层之上；收集电极，包括形成于所述宽带隙半导体薄膜有源层上或者形成于所述绝缘层与所述宽带隙半导体薄膜有源层之间，且分立设置的第一电极和第二电极；所述X射线探测器工作时，在所述第一电极和第二电极上施加工作电压，所述宽带隙半导体薄膜有源层根据来自辐射源的X射线辐射能产生光生载流子；关闭辐射源后对所述底电极施加脉冲偏压，通过所述绝缘层耗尽所述光生载流子，以控制所述X射线探测器在辐照后的恢复时间。