[发明专利]包含结合垫和结合导线或夹子的半导体器件有效
| 申请号： | 201910175642.8 | 申请日： | 2019-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN110246823B | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | A·毛德;H-J·舒尔策 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/49 | 分类号： | H01L23/49;H01L23/485;H01L23/482;H01L29/739 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 舒雄文;蹇炜 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体器件(500)包含结合垫(300)，结合垫(300)包含具有基底层(317)的基底部分(310)。结合导线或夹子(410)结合到结合垫(300)的主表面(301)的结合区域(305)。补充结构(350)与邻接结合区域(305)的基底部分(310)直接接触。补充结构(350)的比热容高于基底层(317)的比热容。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 结合 导线 夹子 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：结合垫(300)，包括：基底部分(310)，具有基底层(317)；以及主表面(301)，具有结合区域(305)；结合导线或夹子(410)，结合到所述结合区域(305)；以及补充结构(350)，与邻接所述结合区域(305)的所述基底部分(310)直接接触，其中，所述补充结构(350)与所述结合导线或夹子(410)直接邻接或者与所述结合导线或夹子(410)水平地间隔开，其中，所述补充结构(350)的体积比热容高于所述基底层(317)的体积比热容。
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