[发明专利]一种测量软磁薄膜高频磁导率的方法在审

专利信息
申请号: 201910176477.8 申请日: 2019-03-08
公开(公告)号: CN109781831A 公开(公告)日: 2019-05-21
发明(设计)人: 张晓渝;章强;邢园园;臧涛成;马春兰 申请(专利权)人: 苏州科技大学
主分类号: G01N27/72 分类号: G01N27/72;G01R33/12
代理公司: 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙) 32251 代理人: 陆金星
地址: 215009 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供一种测量软磁薄膜高频磁导率的方法,只需要与软磁薄膜样品基片相同的基片而无需外加磁场即可获得软磁薄膜的高频磁导率。测试核心部件包括谐振腔、微波同轴连接器、测试样品和基片,测试时,分别测试谐振腔、基片和样品三者的微波反射系数,通过计算可以获得软磁薄膜高频磁导率。本发明方法在高频磁导率测试中有效地提高了准确度和测试效率,尤其是使得软磁薄膜低频磁导率表征更加稳定。
搜索关键词: 软磁薄膜 高频磁导率 测试 测量 微波同轴连接器 微波反射系数 测试谐振腔 测试效率 测试样品 核心部件 外加磁场 样品基片 准确度 磁导率 谐振腔 有效地
【主权项】:
1.一种测量软磁薄膜高频磁导率的方法,其特征是,包括:(1)准备两片基片,在其中一片基片上沉积一层软磁薄膜,形成测试样品,所述测试样品的一面为软磁薄膜面,与所述软磁薄膜面相对应的一面为基片面;(2)测试所述测试样品的软磁薄膜的厚度;(3)将微波同轴连接器的输入端连接网络分析仪,将微波同轴连接器的轴出端的中心连接谐振腔,所述谐振腔具有上腔壁、下腔壁、前腔壁和后腔壁,所述上腔壁、下腔壁、前腔壁和后腔壁围成一中空长方体结构,当微波信号自所述网络分析仪通过所述微波同轴连接器进入所述谐振腔时,微波电场E的方向与所述上腔壁和下腔壁垂直,微波磁场H的方向与所述上腔壁和下腔壁平行,微波磁场H的方向与所述前腔壁和后腔壁平行;(4)测量空的谐振腔的反射系数Sempty,计算得出空的谐振腔的等效介电常数εempty;(5)将所述基片放入所述谐振腔中,测量所述基片的反射系数Ssubstrate,计算得出此时的等效介电常数εsubstrate;(6)将所述测试样品放入所述谐振腔中,所述软磁薄膜面朝上放置,所述软磁薄膜的磁化强度M的方向垂直于所述微波磁场H的方向,测量所述测试样品的微波反射系数Sfilm;(7)计算获得软磁薄膜的高频磁导率μfilm
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