[发明专利]半导体结构与其制作方法在审
| 申请号： | 201910176515.X | 申请日： | 2019-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN109920738A | 公开（公告）日： | 2019-06-21 |
| 发明（设计）人： | 李永亮;马雪丽;王晓磊;杨红;王文武;李超雷 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 韩建伟 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种半导体结构与其制作方法。该制作方法包括：在衬底的裸露表面上形成鳍和预盖帽层，鳍包括导电沟道部，导电沟道部的材料包括SiGe和/或Ge，衬底为Si衬底或SOI衬底，预盖帽层位于鳍的远离衬底的表面上，预盖帽层为Si层。该制作方法使得包括高迁移率导电沟道的器件的制作工艺的难度较低，也使得本申请的包括高迁移率导电沟道的器件与现有技术中的硅集成工艺兼容。另外，预盖帽层在后续的制作工艺中可以保护高迁移率沟道不受刻蚀、清洗等工艺的影响，进一步保证了器件具有良好的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 导电沟道 盖帽层 高迁移率 半导体结构 制作工艺 制作 工艺兼容 裸露表面 硅集成 沟道 刻蚀 申请 清洗 保证 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：在衬底的裸露表面上形成鳍和预盖帽层，所述鳍包括导电沟道部，所述导电沟道部的材料包括SiGe和/或Ge，所述衬底为Si衬底或SOI衬底，所述预盖帽层位于所述鳍的远离衬底的表面上，所述预盖帽层为Si层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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