[发明专利]一种气体回用控制方法及气体回用控制设备在审

专利信息
申请号: 201910176716.X 申请日: 2019-03-08
公开(公告)号: CN109930201A 公开(公告)日: 2019-06-25
发明(设计)人: 贾祯;金雪;冉瑞应;杨东 申请(专利权)人: 银川隆基硅材料有限公司
主分类号: C30B29/06 分类号: C30B29/06;C30B27/02
代理公司: 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 代理人: 莎日娜
地址: 750000 宁夏回族自治区银*** 国省代码: 宁夏;64
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明实施例提供了一种气体回用控制方法和一种气体回用控制设备,所述气体回用控制方法包括:净化单晶硅生产设备产生的气体,得到第一回用气体;检测所述第一回用气体的第一纯度;在所述第一纯度满足第一预设条件的情况下,将所述第一回用气体通向所述单晶硅生产设备;在所述单晶硅生产设备的入气口处检测所述第一回用气体的第二纯度;在所述第二纯度满足第二预设条件的情况下,将所述第一回用气体通入所述单晶硅生产设备。本发明实施例中,可以避免将不符合使用要求的回用气体通入所述单晶硅生产设备,提高所述单晶硅生产设备生产的单晶硅的品质。
搜索关键词: 回用 单晶硅生产设备 控制设备 预设条件 单晶硅 入气口 检测 净化 生产
【主权项】:
1.一种气体回用控制方法,其特征在于,包括:净化单晶硅生产设备产生的气体,得到第一回用气体;检测所述第一回用气体的第一纯度;在所述第一纯度满足第一预设条件的情况下,将所述第一回用气体通向所述单晶硅生产设备;在所述单晶硅生产设备的入气口处检测所述第一回用气体的第二纯度;在所述第二纯度满足第二预设条件的情况下,将所述第一回用气体通入所述单晶硅生产设备。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于银川隆基硅材料有限公司,未经银川隆基硅材料有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910176716.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top