[发明专利]测定器和求出测定器的偏离量的方法在审
申请号: | 201910176749.4 | 申请日: | 2019-03-08 |
公开(公告)号: | CN110246796A | 公开(公告)日: | 2019-09-17 |
发明(设计)人: | 杉田吉平;河野太辅 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L21/677 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供测定器和求出测定器的偏离量的方法。测定器具备基底基板、多个传感器电极、高频振荡器(171)、C/V转换电路(172)、A/D转换器(173)以及开关机构(190)。多个C/V转换电路(172)分别将多个传感器电极中的对应的传感器电极的电压振幅转换为表现静电电容的电压信号。开关机构(190)能够在第一状态与第二状态之间进行切换。在第一状态下,多个传感器电极分别电连接于多个C/V转换电路(172)。在第二状态下,多个电极对(105)分别电连接于多个C/V转换电路(172)中的不同的C/V转换电路(172)。多个电极对(105)分别包括多个传感器电极中的在周向上相邻的两个传感器电极。 | ||
搜索关键词: | 传感器电极 测定器 开关机构 电连接 偏离量 电极 高频振荡器 电压信号 电压振幅 基底基板 静电电容 转换 表现 | ||
【主权项】:
1.一种测定器,具备:圆盘状的基底基板;多个传感器电极,所述多个传感器电极沿所述基底基板的周缘在周向上排列;高频振荡器,其被设置为向所述多个传感器电极提供高频信号;多个C/V转换电路,各所述C/V转换电路分别将所述多个传感器电极中的对应的传感器电极的电压振幅转换为表现静电电容的电压信号;A/D转换器,其将从所述多个C/V转换电路的各所述C/V转换电路输出的所述电压信号转换为数字值;以及开关机构,其能够在第一状态与第二状态之间进行切换,其中,所述第一状态是所述多个传感器电极分别电连接于所述多个C/V转换电路的状态,所述第二状态是包括所述多个传感器电极中的在所述周向上相邻的两个所述传感器电极的多个电极对分别电连接于所述多个C/V转换电路中的不同的C/V转换电路的状态。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造