[发明专利]一种半导体芯片的封装方法及其封装过程中的两种结构在审
申请号: | 201910176965.9 | 申请日: | 2019-03-08 |
公开(公告)号: | CN111668109A | 公开(公告)日: | 2020-09-15 |
发明(设计)人: | 周辉星 | 申请(专利权)人: | 矽磐微电子(重庆)有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/683;H01L23/31;H01L25/16 |
代理公司: | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人: | 林祥 |
地址: | 401331 重*** | 国省代码: | 重庆;50 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请揭露了一种半导体芯片的封装方法及其封装过程中的两种结构。该封装方法包括在已制作好半导体芯片的晶圆正面形成第一预设厚度的保护层;将形成有保护层的晶圆进行半导体芯片划分;将划分好的半导体芯片具有保护层的一面贴装在第一载板上;在第一载板上以及第一载板上半导体芯片的背面形成第一包封层;去除第一载板,露出半导体芯片的正面上的保护层;去除第二预设厚度的半导体芯片的保护层,形成目标厚度的半导体芯片保护层。本申请的另一方面提供了对应于该方法的封装过程中两种结构。采用此方法或封装过程中两种结构可以有效去除保护层在前序工艺中造成的表面缺陷或残渣,也可以形成比较平整的保护层表面。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体 芯片 封装 方法 及其 过程 中的 结构 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于矽磐微电子(重庆)有限公司,未经矽磐微电子(重庆)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910176965.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体封装方法
- 下一篇:一种均相化学发光检测方法及其应用
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造