[发明专利]基板制造方法在审
| 申请号： | 201910177308.6 | 申请日： | 2019-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN110246758A | 公开（公告）日： | 2019-09-17 |
| 发明（设计）人： | 池野顺一;山田洋平;铃木秀树;野口仁 | 申请（专利权）人： | 信越聚合物株式会社;信越化学工业株式会社;国立大学法人埼玉大学 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/78;B23K26/53 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 陈彦;张默 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供可以容易获得薄的氧化镁单晶基板的基板制造方法。解决课题的手段为一种基板制造方法：进行第1工序，在氧化镁单晶基板(20)的被照射面上非接触地配置将激光进行聚光的激光聚光设备；然后，进行第2工序，在规定照射条件下对单晶基板表面照射激光、将激光聚光于单晶基板内部，同时使激光聚光设备与单晶基板(20)二维状地相对移动，从而并列地形成加工痕迹列；进一步，进行第3工序，在规定照射条件下对单晶基板表面照射激光、将激光聚光于单晶基板内部，同时使激光聚光设备与单晶基板(20)二维状地相对移动，从而在第2工序中照射时的相邻的照射线(L1)之间新形成加工痕迹列，由此产生面状剥离。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶基板 激光聚光 基板制造 氧化镁单晶基板 表面照射激光 加工痕迹 相对移动 照射条件 二维状 照射 非接触 聚光的 照射线 面状 剥离 并列 激光 配置 | ||
【主权项】：
1.一种基板制造方法，其特征在于，具备：第1工序，在氧化镁的单晶构件的被照射面上非接触地配置将激光进行聚光的激光聚光设备，第2工序，使用所述激光聚光设备，在规定的照射条件下对所述单晶构件表面照射激光、将所述激光聚光于所述单晶构件内部，同时使所述激光聚光设备和所述单晶构件二维状地相对移动，从而并列地形成加工痕迹列，以及第3工序，使用所述激光聚光设备，在规定的照射条件下对所述单晶构件表面照射激光、将所述激光聚光于所述单晶构件内部，同时使所述激光聚光设备和所述单晶构件二维状地相对移动，从而在通过所述第2工序的照射而形成的相邻的所述加工痕迹列之间新形成加工痕迹列，由此产生面状剥离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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