[发明专利]一种氧空位富集氮掺杂氧化锡及其制备方法和应用有效
申请号: | 201910177869.6 | 申请日: | 2019-03-10 |
公开(公告)号: | CN110052281B | 公开(公告)日: | 2021-11-05 |
发明(设计)人: | 巩金龙;胡聪玲;张雷;李璐璐;赵志坚 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | B01J27/24 | 分类号: | B01J27/24;C25B3/26;C25B3/07;C25B11/091 |
代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人: | 琪琛 |
地址: | 300350 天津市津南区海*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: |
本发明属于电催化技术领域,公开了一种氧空位富集氮掺杂氧化锡及其制备方法和应用,制备过程为先将双氰胺在特定温度和时间下焙烧,然后将得到的块状C |
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搜索关键词: | 一种 空位 富集 掺杂 氧化 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
1.一种氧空位富集氮掺杂氧化锡,其特征在于,该由以下制备方法得到:(1)将双氰胺在500‑550℃温度条件下焙烧4‑5小时,反应结束后自然冷却至室温,得到块状C3N4;(2)将所得块状C3N4研磨至粉末状,取C3N4粉末在450‑500℃温度条件下焙烧2‑3小时,反应结束后自然冷却至室温,得到g‑C3N4纳米片;(3)将所得g‑C3N4纳米片与SnCl2·2H2O按照1:1的质量比研磨混合,在500‑600℃温度条件下焙烧3‑5小时,反应结束后自然冷却至室温;(4)将步骤(3)所得产物收集研磨得到Ov‑N‑SnO2纳米颗粒。
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