[发明专利]一种氧空位富集氮掺杂氧化锡及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 201910177869.6 申请日: 2019-03-10
公开(公告)号: CN110052281B 公开(公告)日: 2021-11-05
发明(设计)人: 巩金龙;胡聪玲;张雷;李璐璐;赵志坚 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: B01J27/24 分类号: B01J27/24;C25B3/26;C25B3/07;C25B11/091
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人: 琪琛
地址: 300350 天津市津南区海*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明属于电催化技术领域,公开了一种氧空位富集氮掺杂氧化锡及其制备方法和应用,制备过程为先将双氰胺在特定温度和时间下焙烧,然后将得到的块状C3N4研磨至粉末状,特定温度和时间下焙烧,再将得到g‑C3N4纳米片与SnCl2·2H2O按照1:1的质量比研磨混合,特定温度和时间下焙烧,所得产物收集研磨得到Ov‑N‑SnO2纳米颗粒;该氧空位富集氮掺杂氧化锡可在电催化二氧化碳还原制甲酸中应用。本发明主要通过焙烧方式,利用石墨化-氮化碳的热不稳定性以及丰富氮含量的特性,与二水合二氯化锡混合焙烧反应,实现氧空位富集的氮掺杂氧化锡材料的合成,所形成的催化剂颗粒表现出优良的二氧化碳制甲酸性能。
搜索关键词: 一种 空位 富集 掺杂 氧化 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
1.一种氧空位富集氮掺杂氧化锡,其特征在于,该由以下制备方法得到:(1)将双氰胺在500‑550℃温度条件下焙烧4‑5小时,反应结束后自然冷却至室温,得到块状C3N4;(2)将所得块状C3N4研磨至粉末状,取C3N4粉末在450‑500℃温度条件下焙烧2‑3小时,反应结束后自然冷却至室温,得到g‑C3N4纳米片;(3)将所得g‑C3N4纳米片与SnCl2·2H2O按照1:1的质量比研磨混合,在500‑600℃温度条件下焙烧3‑5小时,反应结束后自然冷却至室温;(4)将步骤(3)所得产物收集研磨得到Ov‑N‑SnO2纳米颗粒。
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