[发明专利]一种台阶结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201910178140.0 | 申请日： | 2019-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN109956446A | 公开（公告）日： | 2019-07-02 |
| 发明（设计）人： | 万蔡辛 | 申请（专利权）人： | 武汉耐普登科技有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;李向英 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 公开了一种台阶结构及其制造方法，包括：在衬底的第一表面上形成第一牺牲层；图形化第一牺牲层以形成贯穿第一牺牲层的第一开口，第一开口暴露第一表面的部分区域；形成保护层，保护层至少覆盖第一牺牲层的至少一个连通结构和第一表面暴露的部分区域；在保护层上形成第二牺牲层；图形化第二牺牲层以形成贯穿第二牺牲层的第二开口，第二开口的至少部分边界在第一表面的正投影位于第一开口的区域内；以及分别以第一牺牲层和第二牺牲层为掩膜对衬底进行刻蚀，以在衬底中形成台阶式开口，避免了深腔曝光景深不足的问题，可有效提高产品良率和一致性，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 牺牲层 第一表面 开口 保护层 衬底 台阶结构 图形化 台阶式开口 产品良率 连通结构 正投影 暴露 贯穿 景深 刻蚀 深腔 掩膜 制造 曝光 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种台阶结构的制造方法，其特征在于，包括：在衬底的第一表面上形成第一牺牲层；图形化所述第一牺牲层以形成贯穿所述第一牺牲层的第一开口，所述第一开口暴露所述第一表面的部分区域；形成保护层，所述保护层至少覆盖所述第一牺牲层的至少一个连通结构和所述第一表面暴露的部分区域；在所述保护层上形成第二牺牲层；图形化所述第二牺牲层以形成贯穿所述第二牺牲层的第二开口，所述第二开口的至少部分边界在所述第一表面的正投影位于所述第一开口的区域内；以及分别以所述第一牺牲层和所述第二牺牲层为掩膜对所述衬底进行刻蚀，以在所述衬底中形成台阶式开口。
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