[发明专利]碳化硼纳米片/硼掺杂石墨烯量子点的制备方法及其电还原制氨应用有效

专利信息
申请号: 201910178288.4 申请日: 2019-03-08
公开(公告)号: CN110028961B 公开(公告)日: 2020-07-14
发明(设计)人: 邱建丁;邱伟斌;梁汝萍 申请(专利权)人: 南昌大学
主分类号: C09K11/65 分类号: C09K11/65;B82Y20/00;B82Y40/00;B01J27/22;C25B1/00;C25B11/06
代理公司: 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 代理人: 胡群
地址: 330000 江西省*** 国省代码: 江西;36
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摘要: 发明公开了一种碳化硼纳米片/硼掺杂石墨烯量子点的制备方法及其电还原制氨应用,属于电化学催化技术领域。将碳化硼超声剥离成碳化硼纳米片,高温处理后在碳化硼纳米片表面原位生成硼掺杂石墨烯,再通过水热和超声处理将碳化硼纳米片表面的硼掺杂石墨烯打碎成量子点,制备碳化硼纳米片/硼掺杂石墨烯量子点(B4C‑BGQDs)复合材料。B4C‑BGQDs上的BGQDs的尺寸很小,可暴露更多的活性位点、具有比碳化硼纳米片更好的导电性、对氮气更好的吸附性以及更好的电催化氮气还原的活性,在常温常压下可实现无副产物水合肼产生的高效电催化氮气还原合成氨,此外,B4C‑BGQDs还具有优异的可循环利用性和电化学稳定性。
搜索关键词: 碳化 纳米 掺杂 石墨 量子 制备 方法 及其 还原 应用
【主权项】:
1.碳化硼纳米片/硼掺杂石墨烯量子点的制备方法,其特征在于:将碳化硼纳米片进行高温处理,在碳化硼纳米片表面原位生成硼掺杂石墨烯,再将碳化硼纳米片表面上原位生成的硼掺杂石墨烯处理成硼掺杂石墨烯量子点,制成碳化硼纳米片/硼掺杂石墨烯量子点复合材料。
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