[发明专利]一种制备多晶硅锭的工艺在审
| 申请号： | 201910178644.2 | 申请日： | 2019-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN110004489A | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 关成;王怡然 | 申请（专利权）人： | 包头晶澳太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 广州知友专利商标代理有限公司 44104 | 代理人： | 李海波;刘艳丽 |
| 地址： | 014030 内蒙古自治区包*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备多晶硅锭的工艺。该制备多晶硅锭的工艺包括：步骤一、在带有底板的隔热笼内，利用顶部加热器和侧部加热器，对装有硅料的坩埚进行加热，使坩埚内的硅料熔融而形成硅熔体；步骤二、打开隔热笼的底板，使所述硅熔体自下而上生长多晶硅晶体而形成多晶硅锭；步骤三、快速降低侧部加热器的功率和顶部加热器的功率，使多晶硅锭的中部和多晶硅锭的顶部降温；步骤四、在多晶硅锭的顶部的温度与多晶硅锭的底部的温度之差小于或等于50℃时，关闭顶部加热器和侧部加热器，并且关闭隔热笼的底板，然后使多晶硅锭在隔热笼内冷却至室温。该制备多晶硅锭的工艺通过减小退火时的热冲击产生的热应力，抑制位错增殖。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶硅锭 隔热笼 制备 底板 侧部加热器 顶部加热器 硅熔体 硅料 坩埚 退火 多晶硅晶体 热冲击 热应力 加热 减小 熔融 位错 增殖 冷却 生长 | ||
【主权项】：
1.一种制备多晶硅锭的工艺，包括：步骤一、在带有底板的隔热笼内，利用顶部加热器和侧部加热器，对装有硅料的坩埚进行加热，使坩埚内的硅料熔融而形成硅熔体；步骤二、打开隔热笼的底板，使所述硅熔体自下而上生长多晶硅晶体而形成多晶硅锭；步骤三、以第一速度降低顶部加热器的功率，以第二速度降低侧部加热器的功率，且第一速度小于第二速度，使多晶硅锭的中部和多晶硅锭的顶部降温；步骤四、在多晶硅锭的顶部的温度与多晶硅锭的底部的温度之差小于或等于50℃、优选小于或等于40℃、更优选小于或等于30℃、进一步优选小于或等于15℃时，关闭顶部加热器和侧部加热器，并且关闭隔热笼的底板，然后使多晶硅锭在隔热笼内冷却至室温。
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