[发明专利]一种发光二极管芯片及其制造方法有效
| 申请号： | 201910179543.7 | 申请日： | 2019-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN109920887B | 公开（公告）日： | 2022-01-25 |
| 发明（设计）人： | 陈志忠;詹景麟;康香宁;焦飞;张国义;沈波;唐军;齐胜利;刘亚柱;潘尧波 | 申请（专利权）人： | 北京大学;合肥彩虹蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/24;H01L33/38;B82Y20/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 王华英 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出一种发光二极管芯片及其制造方法，包括：提供一衬底；形成外延结构于所述衬底上；移除部分所述外延结构，形成至少一个凹槽，所述凹槽暴露部分所述第二半导体层；形成第一金属电极于所述金属层上，以及形成第二金属电极于暴露出的部分所述第二半导体层上；移除部分所述第一金属电极以及所述外延结构，形成多个纳米柱。本发明提出的发光二级管芯片优化了纳米柱的结构，改善了出光效率，具有较大的推广应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管芯片的制造方法，其特征在于，包括：提供一衬底；形成外延结构于所述衬底上；其中，所述外延结构依次包括第二半导体层，发光层，第一半导体层；形成金属层于所述外延结构上；移除部分所述外延结构，形成至少一个凹槽，所述凹槽暴露部分所述第二半导体层；形成第一金属电极于所述金属层上，以及形成第二金属电极于暴露出的部分所述第二半导体层上；移除部分所述第一金属电极以及所述外延结构，形成多个纳米柱；其中，形成所述纳米柱的步骤包括：提供一纳米压印模板；形成一层掩膜材料与所述外延结构的表面上；形成一层压印胶于所述掩膜材料上；通过纳米压印的方式将所述纳米压印模板上的图形转移到所述压印胶上，以得到周期性的掩膜结构；利用所述周期性掩膜结构，图案化所述掩膜材料，以得到图案化后的所述掩膜材料；利用图案化后的所述掩膜材料，图案化所述第一金属电极以及所述外延结构，以获得所述纳米柱。
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