[发明专利]一种利用任意指数面的单晶铜箔生长单晶石墨烯的方法有效
| 申请号： | 201910179967.3 | 申请日： | 2019-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN111690982B | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 刘开辉;张志斌;俞大鹏;王恩哥 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | C30B29/02 | 分类号： | C30B29/02;C30B25/10;C30B25/18 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人： | 苏爱华 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明首次提出一种利用任意指数面的单晶铜箔生长单晶石墨烯的方法，所述方法包括如下步骤：S1，制备任意指数面的单晶铜箔；S2，选用所述单晶铜箔作为衬底，并在其上生长出高质量超大尺寸的单晶石墨烯。本发明首次在非Cu(111)、Cu(100)等常见晶面上生长大尺寸单晶石墨烯，在成功制备Cu(211)、Cu(323)、Cu(110)、Cu(236)、Cu(331)、Cu(256)、Cu(553)、Cu(659)、Cu(736)、Cu(748)、Cu(671)等晶面的单晶铜箔上均成功生长了连续的大尺寸的单晶石墨烯；在这些晶面上均长出了单层均匀且高质量的石墨烯。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 任意 指数 铜箔 生长 晶石 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学，未经北京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910179967.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
