[发明专利]一种米级大单晶高指数面铜箔的制备方法有效
| 申请号： | 201910179992.1 | 申请日： | 2019-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN111690983B | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 刘开辉;吴慕鸿;张志斌;俞大鹏;王恩哥 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | C30B29/02 | 分类号： | C30B29/02;C30B29/64;C30B1/02 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人： | 苏爱华 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种米级大单晶高指数面铜箔的制备方法，所述方法为商业多晶铜箔作为原料，利用预先氧化保护然后退火的工艺制备出Cu(112)、Cu(113)、Cu(122)、Cu(123)、Cu(133)、Cu(223)、Cu(233)、Cu(355)以及其他高指数面等一系列米级大单晶高指数面铜箔。本发明提出的方法，解决了Cu(112)、Cu(113)、Cu(122)、Cu(123)、Cu(133)、Cu(223)、Cu(233)、Cu(355)以及其他高指数面单晶铜箔价格和制备成本高昂且市场上没有产品供应的问题，通过非常简单的方法，实现了高质量米级大单晶Cu(112)、Cu(113)、Cu(122)、Cu(123)、Cu(133)、Cu(223)、Cu(233)、Cu(355)以及其他高指数面铜箔的宏量制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 米级大单晶高 指数 铜箔 制备 方法 | ||
【主权项】：
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