[发明专利]用于在半导体器件制造期间从硅-锗/锗叠层选择性除去硅-锗合金的蚀刻溶液有效
| 申请号： | 201910180147.6 | 申请日： | 2019-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN110240907B | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 刘文达;李翊嘉 | 申请（专利权）人： | 弗萨姆材料美国有限责任公司 |
| 主分类号： | C09K13/00 | 分类号： | C09K13/00;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 吴亦华;徐志明 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文描述的是一种蚀刻溶液，其包含水；氧化剂；水混溶性有机溶剂；氟离子源；腐蚀抑制剂；和任选地，表面活性剂；任选地，缓冲剂，和任选地，螯合剂。这样的组合物可用于在微电子器件的制造过程中从其上具有这样的材料的微电子器件相对于锗选择性地除去硅‑锗。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体器件 制造 期间 锗叠层 选择性 除去 合金 蚀刻 溶液 | ||
【主权项】：
1.一种适用于从微电子器件相对于锗选择性地除去硅‑锗合金的蚀刻溶液，所述蚀刻溶液包含：水；氧化剂；水混溶性有机溶剂；氟离子源；腐蚀抑制剂；任选地，表面活性剂任选地，缓冲剂；和任选地，螯合剂。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于弗萨姆材料美国有限责任公司，未经弗萨姆材料美国有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910180147.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
