[发明专利]一种去除SiCf/SiC复合材料残余硅的方法在审
| 申请号： | 201910180150.8 | 申请日： | 2019-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN110128157A | 公开（公告）日： | 2019-08-16 |
| 发明（设计）人： | 齐哲;刘虎;房昺;焦健;吕晓旭;杨金华;周怡然;姜卓钰 | 申请（专利权）人： | 中国航发北京航空材料研究院 |
| 主分类号： | C04B35/80 | 分类号： | C04B35/80;C04B35/84;C04B41/91 |
| 代理公司： | 中国航空专利中心 11008 | 代理人： | 仉宇 |
| 地址： | 100095 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种去除SiCf/SiC复合材料残余硅的方法，包括以下步骤：(1)将通过熔渗工艺制备的具有一定残余硅含量的SiCf/SiC复合材料在室温下浸没于氢氟酸与一种氧化性强酸的混合溶液中；(2)将经酸溶液浸渍后的复合材料超声处理，然后真空干燥处理；(3)将干燥处理后的复合材料真空浸渍于液态聚碳硅烷中，然后在1000～1500℃下高温热处理；(4)通过化学气相沉积工艺在高温热处理后的复合材料表面制备一层厚度为10～200μm的碳化硅封闭层。该方法可将熔渗工艺制备的SiCf/SiC复合材料中的残余硅质量分数降低至0.05％以内，提高了复合材料在高温环境下的抗蠕变性，同时提升了复合材料的使用温度和抗氧化性，具有良好的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 复合材料 高温热处理 工艺制备 熔渗 去除 浸渍 复合材料表面 化学气相沉积 液态聚碳硅烷 真空干燥处理 混合溶液中 氧化性强酸 超声处理 干燥处理 高温环境 抗蠕变性 抗氧化性 真空浸渍 质量分数 层厚度 封闭层 氢氟酸 酸溶液 碳化硅 浸没 制备 应用 | ||
【主权项】：
1.一种去除SiCf/SiC复合材料残余硅的方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤1)将含有残余硅的SiCf/SiC复合材料浸没于酸溶液，使得残余硅溶于酸溶液，该酸溶液中至少包含氢氟酸和氧化性强酸；步骤2)对经酸混合溶液浸渍后的SiCf/SiC复合材料进行清洗除酸；步骤3)对清洗除酸后的复合材料进行真空干燥处理；步骤4)将复合材料浸渍于液态聚碳硅烷中，通过抽真空工艺，使得液态聚碳硅烷填充到去除残余硅后形成的空隙中，其中，真空度达到1000Pa以下；然后，将填充液态聚碳硅烷的复合材料在1000～1500℃下热处理，使得液态聚碳硅烷转化为碳化硅；步骤5)，通过化学气相沉工艺，在所述复合材料表面形成碳化硅封闭层。
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