[发明专利]一种用于涂硼中子探测器富硼涂层的薄膜结构在审
| 申请号： | 201910180279.9 | 申请日： | 2019-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN109852927A | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 齐润泽;张众;王占山;冯秦旭 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/16;C23C14/35 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 赵志远 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种用于涂硼中子探测器富硼涂层的薄膜结构，包括基底和B4C薄膜其特征在于，所述基底和B4C薄膜间设置有金属层；所述的金属层的材料为活泼金属；该活泼金属优选为Ti、Ni、Al、Mg或MgAl合金中的一种；所述金属层的厚度小于100nm。与现有技术相比，本发明大大增强了B4C薄膜与铝基底间的黏附效果；解决B4C薄膜从铝基底上脱落的问题，具有制备简单，膜系结构简单，工艺成熟，可制备性强等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 金属层 中子探测器 薄膜结构 活泼金属 基底 铝基 涂硼 可制备性 膜系结构 黏附 优选 制备 合金 成熟 | ||
【主权项】：
1.一种用于涂硼中子探测器富硼涂层的薄膜结构，包括基底(1)和B4C薄膜(2)其特征在于，所述基底(1)和B4C薄膜(2)间设置有金属层(3)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于同济大学，未经同济大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910180279.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种掩膜版和蒸镀装置
- 下一篇：多层离子环保镀
- 同类专利
- 专利分类
