[发明专利]基于入射粒子的线性能量转移分布估算触发器软错误率的方法

摘要

本发明公开了基于入射粒子的线性能量转移分布估算触发器软错误率的方法，通过模拟中子入射产生次级离子的过程，得到其线性能量转移LET值的概率分布，并通过TCAD仿真得到触发器的关键线性能量转移值LETcrit，随后对LET分布求得其概率密度分布函数fD(LET)，并进一步求得其累计概率密度分布函数fC(LET)，最后通过fC(LET)与触发器敏感面积的乘积得到触发器的软错误率SERFF；本发明相较于制造出实际电路并实验得出软错误率结果，节约了时间和经济资源。