[发明专利]一种用于放肩过程的晶体生长控制方法、装置、系统及计算机存储介质在审
| 申请号： | 201910181545.X | 申请日： | 2019-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN111690980A | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | 邓先亮 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/22 | 分类号： | C30B15/22;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于放肩过程的晶体生长控制方法、装置、系统及计算机存储介质，所述方法包括：预先设置放肩过程不同阶段的晶体生长角度设定值和所述放肩过程不同阶段的晶体生长工艺参数的设定值；获得所述放肩过程不同阶段的晶体直径，并计算获得晶体直径的变化值和晶体长度的变化值，并利用所述晶体直径的变化值与所述晶体长度的变化值之间的比值计算晶体生长角度值；将所述晶体生长角度值与所述晶体生长角度设定值进行比较，得到差值，并将所述差值作为PID算法的输入变量；通过PID算法计算晶体生长工艺参数的调节值，作为PID算法的输出变量；将所述晶体生长工艺参数的调节值和所述晶体生长工艺参数的设定值相加，得到实际长晶过程的工艺参数。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 过程 晶体生长 控制 方法 装置 系统 计算机 存储 介质 | ||
【主权项】：
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