[发明专利]超薄晶圆的制备方法

摘要

本申请提供一种超薄晶圆的制备方法，所述超薄晶圆的制备方法工艺结构简单，采用所述第一表面贴膜后直接对所述晶圆减薄，制程流转时间短，并通过根据所述第一预设厚度进行粗磨、所述第二预设厚度进行细磨以及所述第三预设厚度进行干法抛光可以有利于控制厚度波动范围。同时，对所述晶圆进行减薄后采用所述划片铁环支撑进行切割，再移除所述第二保护膜，可以实现对所述超薄晶圆的支撑作用，避免了在转移过程中因厚度过薄导致的碎片及裂纹问题。并且，在进行减薄后采用划片铁环进行绷膜时，可以根据芯片封装方式的需求选择不同的划片胶膜，具有广泛的应用范围。

主权项

1.一种超薄晶圆的制备方法，其特征在于，包括：提供晶圆(10)，所述晶圆(10)具有相对设置的第一表面(110)与第二表面(120)；将所述第一表面(110)设置第一保护膜(20)，将切割装置的切割面与所述第一保护膜(20)远离所述晶圆(10)的表面呈60°～85°进行切割，获得切割后的第二保护膜(210)；将所述晶圆(10)的所述第二表面(120)进行减膜，获得减膜后的第三晶圆(160)；将所述第三晶圆(160)远离所述第二保护膜(210)的表面采用固定环(30)进行绷膜，获得第一支撑膜(40)；根据所述固定环(30)对所述第一支撑膜(40)远离所述第三晶圆(160)的表面进行切割，获得切割后的第二支撑膜(410)；去除所述第三晶圆(160)的所述第二保护膜(210)，获得超薄晶圆(100)。