[发明专利]化学机械抛光方法以及化学抛光系统有效
| 申请号： | 201910182532.4 | 申请日： | 2019-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN110193775B | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 吴恬辛 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/005 | 分类号： | B24B37/005;B24B37/013;B24B37/08;B24B37/28;B24B37/34;B24B55/06;B24B49/02;H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 刘翔 |
| 地址： | 201306 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种化学机械抛光方法及化学机械抛光装置，充分考虑了化学机械抛光装置上的晶片载体随着长时间使用而导致的厚度变化对半导体晶片的抛光效果的影响，在设定用于半导体晶片抛光的工艺参数之前，先测量晶片载体的厚度，并计算出测得的晶片载体的厚度与待抛光的半导体晶片在完成抛光后的目标厚度之间的差值(即晶片载体相对抛光后的半导体晶片的突出量或者抛光后的半导体晶片相对晶片载体的突出量)，然后根据该差值设定用于半导体晶片抛光的工艺参数，当采用这组与该差值相关的半导体晶片抛光的工艺参数对该半导体晶片进行抛光后，该半导体晶片最终抛光后的抛光面的平整度会增加，因而提高了抛光效果。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 机械抛光 方法 以及 化学抛光 系统 | ||
【主权项】：
1.一种化学机械抛光方法，其特征在于，包括：提供一化学机械抛光装置，该化学机械抛光装置具有抛光垫以及晶片载体，所述晶片载体具有用于承载半导体晶片的开口；将一半导体晶片置于所述晶片载体的开口内，并使得所述半导体晶片需要被抛光的表面面对所述抛光垫；测量所述晶片载体的厚度，并获得所述半导体晶片被抛光后的目标厚度；根据所述晶片载体的厚度和所述半导体晶片被抛光后的目标厚度之差，设定所述半导体晶片的抛光工艺参数；所述化学机械抛光装置根据所述抛光工艺参数对所述半导体晶片进行抛光。
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