[发明专利]一种高性能CMOS成像传感器结构及其制作方法

摘要

本发明公开了一种高性能CMOS成像传感器结构，包括：并列设于半导体衬底正面上的第一感光区域和电路器件区域，电路器件区域下方的衬底中还设有第二感光区域，第二感光区域通过导电沟槽与位于上方的电路器件区域中的电路器件以及位于旁边的第一感光区域相连；电路器件区域与其下方的第二感光区域之间通过隔离区相隔离，电路器件区域和第一感光区域的外围通过深沟槽隔离结构实现像元间隔离，深沟槽隔离结构的上下两端分别自衬底的正面和背面表面露出；金属互连层设于衬底的正面上，光线自衬底的背面入射。本发明可形成更大的感光面积，并提升产品性能。本发明还公开了一种高性能CMOS成像传感器结构的制作方法。

主权项

1.一种高性能CMOS成像传感器结构，其特征在于，包括：并列设于半导体衬底正面上的第一感光区域和电路器件区域，所述电路器件区域下方的所述衬底中还设有第二感光区域，所述第二感光区域通过导电沟槽与位于上方的所述电路器件区域中的电路器件以及位于旁边的第一感光区域相连；其中，所述电路器件区域与其下方的第二感光区域之间通过隔离区相隔离，所述电路器件区域和第一感光区域的外围通过深沟槽隔离结构实现像元间隔离，所述深沟槽隔离结构的上下两端分别自所述衬底的正面和背面表面露出；其中，金属互连层设于所述衬底的正面上，光线自所述衬底的背面入射。