[发明专利]半导体存储器装置和操作半导体存储器装置的方法在审

专利信息
申请号: 201910183620.6 申请日: 2019-03-12
公开(公告)号: CN110473870A 公开(公告)日: 2019-11-19
发明(设计)人: 赵硕进;吴台荣;朴廷桓 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L27/07 分类号: H01L27/07;H01L21/8234
代理公司: 11112 北京天昊联合知识产权代理有限公司 代理人: 赵南;张帆<国际申请>=<国际公布>=<
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 本公开提供了一种半导体存储器装置以及一种操作半导体存储器装置的方法。所述半导体存储器装置包括存储器单元阵列和地址解码器。存储器单元阵列包括多个存储器块,所述多个存储器块中的每一个包括结合至字线和位线的多个动态存储器单元,所述多个存储器块中的每一个通过行地址的行块等同比特被划分为多个行块,并且行块中的每一个包括在第一方向上排列的多个子阵列块。地址解码器基于通过写命令或读命令接收的列地址改变存储或输出数据的存储器单元的物理行地址。
搜索关键词: 半导体存储器装置 存储器块 行块 存储器单元阵列 地址解码器 动态存储器单元 存储器单元 多个子阵列 改变存储 输出数据 读命令 列地址 物理行 写命令 行地址 位线 字线
【主权项】:
1.一种半导体存储器装置,包括:/n存储器单元阵列,其包括多个存储器块,所述多个存储器块中的每一个包括结合至字线和位线的多个动态存储器单元,其中,所述多个存储器块中的每一个通过对应于行地址的一部分比特的至少一个行块等同比特被划分为多个行块,并且所述多个行块中的每一个包括在第一方向上排列的多个子阵列块;/n行解码器,其被构造为:/n响应于所述行地址激活所述多个行块中的第一行块中的第一字线;/n当所述第一行块包括至少一个有缺陷的单元时,激活所述多个行块中的第二行块中的第二字线,所述第二行块与所述第一行块不同;并且/n输出指示所述第二字线是否被激活的行块信息信号,/n其中,所述第一行块与多个区段中的第一区段关联,所述第二行块与所述多个区段中的第二区段关联,所述第二区段与所述第一区段不同,并且所述多个存储器块在与所述第一方向交叉的第二方向上被划分为所述多个区段;以及/n列解码器,其被构造为响应于列地址和所述行块信息信号、利用所述第一区段中的第一备用位线和所述第二区段中的第二备用位线之一,修复结合至所述至少一个有缺陷的单元的第一位线。/n
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