[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201910183836.2 申请日: 2015-02-25
公开(公告)号: CN110136661B 公开(公告)日: 2021-07-27
发明(设计)人: 梅崎敦司 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: G09G3/36 分类号: G09G3/36;G11C19/28
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 宋俊寅
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明的一个方式提供一种半导体装置。本发明的一个方式包括晶体管(101)、晶体管(102)、晶体管(103)及晶体管(104)。晶体管(101)的第一端子与布线(111)连接,且晶体管101的第二端子与布线(112)连接。晶体管(102)的第一端子与布线(113)连接,且晶体管(102)的第二端子与布线(112)连接。晶体管(103)的第一端子与布线(113)连接,且晶体管(103)的栅极与布线(111)或布线(119)连接。晶体管(104)的第一端子与晶体管(103)的第二端子连接,且晶体管(104)的第二端子与晶体管(101)的栅极连接,且晶体管(104)的栅极与晶体管(102)的栅极连接。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
1.一种半导体装置,包括:第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管及第四晶体管;以及第一布线及第二布线,其中,所述第一晶体管的源极和漏极中的一个与所述第二晶体管的源极和漏极中的一个电连接,其中,所述第一晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个及所述第三晶体管的栅极与所述第一布线电连接,其中,所述第一晶体管的栅极与所述第四晶体管的源极和漏极中的一个电连接,其中,所述第二晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个及所述第三晶体管的源极和漏极中的一个与所述第二布线电连接,其中,所述第二晶体管的栅极与所述第四晶体管的栅极电连接,并且其中,所述第三晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个与所述第四晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个电连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所,未经株式会社半导体能源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910183836.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top