[发明专利]半导体装置有效
申请号: | 201910183836.2 | 申请日: | 2015-02-25 |
公开(公告)号: | CN110136661B | 公开(公告)日: | 2021-07-27 |
发明(设计)人: | 梅崎敦司 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | G09G3/36 | 分类号: | G09G3/36;G11C19/28 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 宋俊寅 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明的一个方式提供一种半导体装置。本发明的一个方式包括晶体管(101)、晶体管(102)、晶体管(103)及晶体管(104)。晶体管(101)的第一端子与布线(111)连接,且晶体管101的第二端子与布线(112)连接。晶体管(102)的第一端子与布线(113)连接,且晶体管(102)的第二端子与布线(112)连接。晶体管(103)的第一端子与布线(113)连接,且晶体管(103)的栅极与布线(111)或布线(119)连接。晶体管(104)的第一端子与晶体管(103)的第二端子连接,且晶体管(104)的第二端子与晶体管(101)的栅极连接,且晶体管(104)的栅极与晶体管(102)的栅极连接。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置,包括:第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管及第四晶体管;以及第一布线及第二布线,其中,所述第一晶体管的源极和漏极中的一个与所述第二晶体管的源极和漏极中的一个电连接,其中,所述第一晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个及所述第三晶体管的栅极与所述第一布线电连接,其中,所述第一晶体管的栅极与所述第四晶体管的源极和漏极中的一个电连接,其中,所述第二晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个及所述第三晶体管的源极和漏极中的一个与所述第二布线电连接,其中,所述第二晶体管的栅极与所述第四晶体管的栅极电连接,并且其中,所述第三晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个与所述第四晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个电连接。
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