[发明专利]用于施加接合层的方法在审
| 申请号： | 201910183859.3 | 申请日： | 2013-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN110085526A | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | M.温普林格 | 申请（专利权）人： | EV集团E·索尔纳有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/485;B81C3/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 卢江;刘春元 |
| 地址： | 奥地利圣*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 用于施加接合层的方法。本发明涉及一种用于将由基本层及保护层组成的接合层施加到基板上的方法，其具有以下方法步骤：将可氧化的基本材料作为基本层施加到该基板的接合侧上，用可至少部分地溶解于该基本材料中的保护材料作为保护层来至少部分地覆盖该基本层。另外，本发明涉及一种相应的基板。 | ||
| 搜索关键词： | 基本层 接合层 基板 施加 基本材料 保护层 保护材料 接合 可氧化 溶解 覆盖 | ||
【主权项】：
1.用于将第一基板与第二基板接合的方法，所述方法包括：将可氧化基本材料作为基本层施加在第一基板的接合侧上，用具有小于100nm的厚度的保护层至少部分地覆盖所述基本层，所述保护层由包含非金属化学元素的保护材料组成；以及接合所述第一和第二基板，其中所述保护材料在接合期间完全溶解于基本材料中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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