[发明专利]紫外线发光元件、紫外线发光装置、半导体芯片和透镜的接合方法在审

专利信息
申请号: 201910184191.4 申请日: 2019-03-12
公开(公告)号: CN110350070A 公开(公告)日: 2019-10-18
发明(设计)人: 武田孔明;北村健 申请(专利权)人: 旭化成株式会社
主分类号: H01L33/58 分类号: H01L33/58;H01L33/56
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;张会华
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明能够提高半导体芯片的主面通过非晶质氟树脂接合于透镜的入射面而成的紫外线发光元件的透镜与半导体芯片之间的粘接性能。紫外线发光元件(1)具有:半导体芯片(110),其能发出紫外线;透镜(120),其具有紫外线透射性;以及接合层(131),其使入射面(121)和主面(110a)相接合。接合层(131)是非晶质氟树脂层。基于接合层(131)实现的主面(110a)与入射面(121)之间的粘接强度在按照EIAJ-ED-4703测得的剪切强度下为6N/mm2以上且40N/mm2以下。
搜索关键词: 透镜 半导体芯片 紫外线发光元件 接合 接合层 入射面 主面 紫外线发光装置 非晶质氟树脂 紫外线透射 氟树脂层 粘接性能 紫外线 晶质 粘接
【主权项】:
1.一种紫外线发光元件,其中,该紫外线发光元件具有:半导体芯片,其能发出紫外线;透镜,其具有紫外线透射性;以及接合层,其具有紫外线透射性,该接合层使所述半导体芯片的作为主要的光提取面的主面和所述透镜的入射面相接合,所述接合层是非晶质氟树脂层,基于所述接合层实现的所述主面与所述入射面之间的粘接强度在按照EIAJ-ED-4703测得的剪切强度下为6N/mm2以上且40N/mm2以下。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旭化成株式会社,未经旭化成株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910184191.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top