[发明专利]改进填充窗口的方法、集成电路及其形成方法

摘要

本申请的各个实施例涉及IC及其形成方法。在一些实施例中，IC包括集成在衬底中的存储器区和逻辑区。在存储器区上设置多个存储器单元结构。在逻辑区上设置多个逻辑器件。沿逻辑器件的侧壁表面设置侧壁间隔件，但不沿存储器单元结构的侧壁表面设置侧壁间隔件。因此，与在存储器区和逻辑区中同时形成侧壁间隔件的方法相比，扩大了相邻的存储器单元结构之间的层间电介质(ILD)填充窗口。因此，将减少或消除空隙形成，并且将改善器件质量。本发明的实施例还提供了改进填充窗口的方法。

主权项

1.一种集成电路(IC)，包括：/n存储器区和逻辑区，集成在衬底中；/n多个存储器单元结构，设置在所述存储器区上，其中，所述多个存储器单元结构中的存储器单元结构包括分别设置在所述衬底上方的一对控制栅电极和设置在所述一对控制栅电极的相对侧上的一对选择栅电极；/n多个逻辑器件，设置在所述逻辑区上，其中，所述多个逻辑器件中的逻辑器件包括通过逻辑栅极电介质与所述衬底分离的逻辑栅电极；/n侧壁间隔件，沿所述逻辑栅电极的侧壁表面设置；以及/n接触蚀刻停止层(CESL)，设置为沿着所述衬底的顶面，在所述存储器区内沿着所述一对选择栅电极的侧壁表面向上延伸，并且在所述逻辑区内沿着所述侧壁间隔件的侧壁表面向上延伸；/n其中，所述接触蚀刻停止层(CESL)与所述一对选择栅电极的侧壁表面直接接触，并且通过所述侧壁间隔件与所述逻辑栅电极的侧壁表面分离。/n