[发明专利]半导体器件及其结边缘区在审
| 申请号： | 201910184895.1 | 申请日： | 2019-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN111697062A | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | 杜文芳 | 申请（专利权）人： | 南京芯舟科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 亓赢 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市浦口区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请是一种半导体器件及其结边缘区，所述结边缘区包括一个以上的环单元，所述环单元包括半导体衬底，所述半导体衬底上设置多数个槽，每一槽底对应设置与所述半导体衬底相异导电类型的浮空区。所述多数个槽内部设置导电材料，通过第一绝缘介质而与所述半导体衬底及所述浮空区相隔离。所述半导体衬底表面设置第二绝缘介质，其覆盖、邻接或邻近所述第一绝缘介质。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 边缘 | ||
【主权项】：
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