[发明专利]一种ZHTS微波介质陶瓷及其制备方法

摘要

本发明提供了一种ZHTS微波介质陶瓷及其制备方法，所述ZHTS微波介质陶瓷具有式(I)所示的通式：ZrxHfyTi2SnzO8+2x+2y+2z；其中，0≤y≤0.03，0≤z≤0.5，x+y+z＝1。与现有技术相比，本发明提供的ZHTS微波介质陶瓷以上述特定通式的复合氧化物为主体材料，通过调整Zr、Hf、Sn的含量可以实现介电常数在40左右，频率温度系数的连续可调；并且，Hf部分替换Zr活化晶格结构，提升Qf值；该ZHTS微波介质陶瓷结构稳定，具有特定的介电常数和较高的Qf值，同时谐振频率温度系数连续可调。实验结果表明，本发明提供的ZHTS微波介质陶瓷的介电常数在38～43之间，Qf＞51500GHz，可高达68600GHz，相比于同介电常数的其他体系微波介质陶瓷，本体系Qf值大，介电损耗低；同时，谐振频率温度系数在‑10.9ppm/℃～+23ppm/℃之间连续可调。

主权项

1.一种ZHTS微波介质陶瓷，具有式(I)所示的通式：Zr_xHf_yTi₂Sn_zO_8+2x+2y+2z   式(I)；式(I)中，0≤y≤0.03，0≤z≤0.5，x+y+z＝1。