[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201910185589.X | 申请日： | 2019-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN111696864A | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | 金吉松;胡敏达;何其暘 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法，其中形成方法包括：提供基底，所述基底上具有若干相互分立的伪栅电极层，所述基底上还具有初始第一介质层，且所述初始第一介质层暴露出伪栅电极层顶部表面；回刻蚀所述初始第一介质层，形成第一介质层，所述第一介质层顶部表面低于伪栅电极层顶部表面；在所述第一介质层表面形成刻蚀停止层；去除所述伪栅电极层，在所述第一介质层内形成伪栅开口；在所述伪栅开口内形成栅极结构，且所述栅极结构顶部表面和刻蚀停止层顶部表面齐平。所述方法形成的半导体器件的性能较好。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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