[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201910186229.1 | 申请日： | 2015-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN110265357B | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | R·西明耶科;W·伯格纳;R·埃斯特夫;D·彼得斯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/8222;H01L27/102;H01L27/105 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明的各个实施例涉及一种半导体器件。公开了一种半导体器件及其生产方法。该半导体器件包括半导体本体、和集成在该半导体本体中的至少一个器件单元(10 |
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| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括多个晶体管单元，每个晶体管单元包括：在所述半导体本体中的漂移区域、源极区域和布置在所述源极区域与所述漂移区域之间的本体区域；绝缘栅极沟槽，从所述半导体本体的第一主表面延伸至所述漂移区域；以及二极管区域，具有与所述本体区域相同的导电类型、并且比所述绝缘栅极沟槽更深地延伸至所述漂移区域，以使得在所述绝缘栅极沟槽的底部下方与所述漂移区域形成pn结；其中对于每个晶体管单元，所述本体区域邻接所述绝缘栅极沟槽的第一侧壁，并且所述二极管区域邻接所述绝缘栅极沟槽的、与所述第一侧壁相对的第二侧壁；其中对于每一对相邻晶体管单元，一个晶体管单元的所述漂移区域邻接另一晶体管区域的所述本体区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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