[发明专利]一种形成场隔离的方法在审
| 申请号： | 201910189138.3 | 申请日： | 2019-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN109920726A | 公开（公告）日： | 2019-06-21 |
| 发明（设计）人： | 张猛;闫岩;周玮;李贵君;郭海成 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 深圳市龙成联合专利代理有限公司 44344 | 代理人： | 陈蓉 |
| 地址： | 518000 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明电子器件和集成电路工艺技术领域，涉及一种形成场隔离的方法，包括制备隔离层，将衬底清洗烘干后，在衬底表面通过薄膜生长方法或沉淀方法制得隔离层；确定有源区沟槽，在隔离层上通过光刻方法标记出有源区沟槽位置；刻蚀有源区沟槽，在有源区沟槽位置，通过刻蚀方法去除有源区沟槽位置上覆盖的隔离层；所述隔离层厚度为1nm‑1mm。本发明可实现集成板生产加工的低温低成本，易于产业化。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离层 源区 沟槽位置 场隔离 刻蚀 集成电路工艺 集成板生产 薄膜生长 衬底表面 衬底清洗 电子器件 产业化 低成本 烘干 光刻 去除 制备 沉淀 覆盖 加工 | ||
【主权项】：
1.一种形成场隔离的方法，其特征在于，包括以下步骤，制备隔离层，将衬底清洗烘干后，在衬底表面通过薄膜生长方法生长出隔离层；确定有源区沟槽，在隔离层上通过光刻方法标记出有源区沟槽位置；刻蚀有源区沟槽，在有源区沟槽位置，通过刻蚀方法去除有源区沟槽位置上覆盖的隔离层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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