[发明专利]一种增强型和耗尽型栅极器件同时制备的方法及器件在审
申请号: | 201910189530.8 | 申请日: | 2019-03-13 |
公开(公告)号: | CN110112131A | 公开(公告)日: | 2019-08-09 |
发明(设计)人: | 陈智广;吴淑芳;林张鸿;林伟铭 | 申请(专利权)人: | 福建省福联集成电路有限公司 |
主分类号: | H01L27/088 | 分类号: | H01L27/088;H01L21/8236 |
代理公司: | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人: | 林祥翔;徐剑兵 |
地址: | 351117 福建省莆*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种增强型和耗尽型栅极器件同时制备的方法及器件,其中方法包括如下步骤:在外延片上制作源极和漏极金属;涂布第一光刻胶,并在增强型器件栅极底部上方开口;对增强型器件底部进行氟离子注入及热处理修复晶格;去除第一光刻胶,涂布第二光刻胶,并在增强型栅极底部和耗尽型栅极底部上方形成上宽下窄的开口;涂布第三光刻胶,并在增强型栅极底部和耗尽型栅极底部上方形成上窄下宽的开口;进行金属沉积,使得金属沉积在增强型栅极底部和耗尽型栅极底部,形成增强型栅极金属和耗尽型栅极金属;去除第二光刻胶和第三光刻胶。本发明的增强型和耗尽型栅极在同一道金属蒸镀工艺上进行,减少了一次金属蒸镀,节约了成本,同时提高性能。 | ||
搜索关键词: | 耗尽型 增强型 光刻胶 增强型器件 金属沉积 金属蒸镀 栅极金属 栅极器件 去除 制备 开口 热处理 漏极金属 上方开口 上宽下窄 上窄下宽 氟离子 外延片 制作源 晶格 修复 节约 | ||
【主权项】:
1.一种增强型和耗尽型栅极器件同时制备的方法,其特征在于,包括如下步骤:在外延片上制作源极和漏极金属;涂布第一光刻胶,并在增强型器件栅极底部上方开口;对增强型器件底部进行氟离子注入及热处理修复晶格;去除第一光刻胶,涂布第二光刻胶,并在增强型栅极底部和耗尽型栅极底部上方形成上宽下窄的开口;涂布第三光刻胶,并在增强型栅极底部和耗尽型栅极底部上方形成上窄下宽的开口;进行金属沉积,使得金属沉积在增强型栅极底部和耗尽型栅极底部,形成增强型栅极金属和耗尽型栅极金属;去除第二光刻胶和第三光刻胶。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福建省福联集成电路有限公司,未经福建省福联集成电路有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910189530.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种新型四颗二极管集成芯片的制造工艺
- 下一篇:分栅式存储器及其制作方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的