[发明专利]一种增强型和耗尽型栅极器件同时制备的方法及器件在审

专利信息
申请号: 201910189530.8 申请日: 2019-03-13
公开(公告)号: CN110112131A 公开(公告)日: 2019-08-09
发明(设计)人: 陈智广;吴淑芳;林张鸿;林伟铭 申请(专利权)人: 福建省福联集成电路有限公司
主分类号: H01L27/088 分类号: H01L27/088;H01L21/8236
代理公司: 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 代理人: 林祥翔;徐剑兵
地址: 351117 福建省莆*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明公开一种增强型和耗尽型栅极器件同时制备的方法及器件,其中方法包括如下步骤:在外延片上制作源极和漏极金属;涂布第一光刻胶,并在增强型器件栅极底部上方开口;对增强型器件底部进行氟离子注入及热处理修复晶格;去除第一光刻胶,涂布第二光刻胶,并在增强型栅极底部和耗尽型栅极底部上方形成上宽下窄的开口;涂布第三光刻胶,并在增强型栅极底部和耗尽型栅极底部上方形成上窄下宽的开口;进行金属沉积,使得金属沉积在增强型栅极底部和耗尽型栅极底部,形成增强型栅极金属和耗尽型栅极金属;去除第二光刻胶和第三光刻胶。本发明的增强型和耗尽型栅极在同一道金属蒸镀工艺上进行,减少了一次金属蒸镀,节约了成本,同时提高性能。
搜索关键词: 耗尽型 增强型 光刻胶 增强型器件 金属沉积 金属蒸镀 栅极金属 栅极器件 去除 制备 开口 热处理 漏极金属 上方开口 上宽下窄 上窄下宽 氟离子 外延片 制作源 晶格 修复 节约
【主权项】:
1.一种增强型和耗尽型栅极器件同时制备的方法,其特征在于,包括如下步骤:在外延片上制作源极和漏极金属;涂布第一光刻胶,并在增强型器件栅极底部上方开口;对增强型器件底部进行氟离子注入及热处理修复晶格;去除第一光刻胶,涂布第二光刻胶,并在增强型栅极底部和耗尽型栅极底部上方形成上宽下窄的开口;涂布第三光刻胶,并在增强型栅极底部和耗尽型栅极底部上方形成上窄下宽的开口;进行金属沉积,使得金属沉积在增强型栅极底部和耗尽型栅极底部,形成增强型栅极金属和耗尽型栅极金属;去除第二光刻胶和第三光刻胶。
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