[发明专利]基座、基座偏压的调整方法和等离子体发生装置在审
| 申请号： | 201910189726.7 | 申请日： | 2019-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN111698821A | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | 张超 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H05H1/46 | 分类号： | H05H1/46 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体加工技术领域，具体涉及基座、基座偏压的调整方法和等离子体发生装置。该基座包括金属盘，该金属盘包括互相绝缘设置的至少两个子盘，每一子盘均与射频源和偏压电源连接，基座还设置有偏压电源的调整电路，所有子盘均与调整电路连接，调整电路用于：以所有子盘中绝对值最小的偏压电源的直流偏压值为基准电压值，将施加至其他子盘的偏压电源的直流偏压值调节至与基准电压值相比在一设定范围内。其通过对基座上的电场分布进行调整，即通过自动检测并比较偏压电源的直流偏压值来调整各子盘所施加偏压电源的直流偏压值的大小，对基座上的偏压电源分区进行自动调整，从而实现整个基座区域刻蚀的均匀性调整，改善对晶圆刻蚀的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 基座 偏压 调整 方法 等离子体 发生 装置 | ||
【主权项】：
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