[发明专利]一种电可编程熔丝单元、阵列、存储单元和电子装置在审

专利信息
申请号: 201910189881.9 申请日: 2019-03-13
公开(公告)号: CN111696613A 公开(公告)日: 2020-09-22
发明(设计)人: 杨家奇 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: G11C16/34 分类号: G11C16/34
代理公司: 北京市磐华律师事务所 11336 代理人: 董巍;高伟
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种电可编程熔丝单元、阵列、存储单元和电子装置,所述电可编程熔丝单元包括:电可编程熔丝、第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管;所述电可编程熔丝包括:第一端和第二端;所述第一端连接到写操作位线,所述第二端分别与所述第一NMOS晶体管和所述第二NMOS晶体管的漏极相连,所述第一NMOS晶体管的栅极连接至读操作字线,所述第一NMOS晶体管的源极连接至读操作位线,所述第二NMOS晶体管的栅极连接写操作字线,所述第二NMOS晶体管的源极接地。根据本发明的电可编程熔丝单元、阵列、存储单元和电子装置,实现通过在电熔丝上加载强电源克服漏电流的现象,解决了电可编程熔丝单元在高编程电压下的可靠性问题。
搜索关键词: 一种 可编程 单元 阵列 存储 电子 装置
【主权项】:
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