[发明专利]一种基于SOI的硅微谐振式压力敏感芯片谐振器

摘要

一种基于SOI的硅微谐振式压力敏感芯片谐振器，涉及一种谐振器。本发明解决了现有的谐振器存在复合压力敏感膜的同振质量影响谐振器现象的问题。当静电激励的驱动频率与谐振单元的固有频率耦合时，发生谐振现象，谐振单元的振幅变化明显，谐振单元的一阶振型为沿平行于长方形短边方向的同向振动，二阶振型为沿平行于长方形短边方向的相向振动，该振型为所需的测试振型。当固定于锚块的复合压力敏感模型收到测试介质的压力时，该谐振器的固有频率发生变化，但其二阶振型不发生变化，因此避免了复合压力敏感膜片同振质量的影响，产品精度得到很大程度的提高。本发明用于压力敏感测试。

主权项

1.一种基于SOI的硅微谐振式压力敏感芯片谐振器，它包括第一引出电极(101)、第二引出电极(102)、第三引出电极(103)和第四引出电极(104)，其特征在于：它还包括第一驱动电极(401)、第二驱动电极(402)、第三驱动电极(403)、备用电极(15)、第一锚块(701)、第二锚块(702)、下横拉梁(142)、上横拉梁(141)、上谐振单元、下谐振单元、第一连接块(301)、第二连接块(302)、第三连接块(303)、第四连接块(304)、驱动电极通路(501)、备用电极通路(502)、第一连接梁(201)、第四连接梁(204)、第五连接梁(205)、第七连接梁(207)、第二连接梁(202)、第三连接梁(203)、第六连接梁(206)和第八连接梁(208)，第一引出电极(101)、第三驱动电极(403)和第四引出电极(104)位于同一排，第二引出电极(102)、第二驱动电极(402)和第三引出电极(103)位于同一排，第一锚块(701)和第二锚块(702)安装在第二驱动电极(402)和第三驱动电极(403)之间，第一锚块(701)和第二锚块(702)之间分别通过下横拉梁(142)和上横拉梁(141)连接，下横拉梁(142)和上横拉梁(141)与第二驱动电极(402)和第三驱动电极(403)之间分别通过上谐振单元和下谐振单元连接，第一连接块(301)和第二连接块(302)连接后安装在第一锚块(701)的外侧，第三连接块(303)和第四连接块(304)连接后安装在第二锚块(702)的外侧，第一驱动电极(401)与第一连接块(301)和第二连接块(302)之间通过驱动电极通路(501)连接，备用电极(15)与第三连接块(303)和第四连接块(304)之间通过备用电极通路(502)连接，第一引出电极(101)与上谐振单元之间通过第一连接梁(201)连接，第二引出电极(102)与下谐振单元之间通过第四连接梁(204)连接，第三引出电极(103)与下谐振单元之间通过第五连接梁(205)连接，第四引出电极(104)与上谐振单元之间通过第八连接梁(208)连接，第一连接块(301)与上谐振单元之间通过第二连接梁(202)连接，第二连接块(302)与下谐振单元之间通过第三连接梁(203)连接，第三连接块(303)与下谐振单元之间通过第六连接梁(206)连接，第四连接块(304)与上谐振单元之间通过第七连接梁(207)连接。