[发明专利]用于垂直式共振腔面射型镭射晶粒的点测方法有效
| 申请号： | 201910192636.3 | 申请日： | 2019-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN110646720B | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 黄炫乔;陈秋旺;范维如 | 申请（专利权）人： | 旺矽科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01R31/27;G01M11/02 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 陈晓庆 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于垂直式共振腔面射型镭射晶粒的点测方法，其步骤包含：提供一具有多个VCSEL晶粒的晶圆片，各晶粒的工作电流大于等于1安培，各晶粒位于矩阵排列成I列及J行的K个区域，各区域具有矩阵排列成M列及N行的R个位置，M及N均大于或等于3，各区域的至少一位置设有一晶粒；点测各区域的R个位置中一特定位置的晶粒，直到位于各区域的特定位置的晶粒全部点测完毕；以R个位置逐一作为特定位置而重复进行前一步骤直到各区域内的晶粒点测完毕。此点测方法可避免高功率VCSEL晶粒因点测产生的热能影响邻近晶粒的检测结果，进而提升检测结果的正确性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 垂直 共振 腔面射型 镭射 晶粒 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于垂直式共振腔面射型镭射晶粒的点测方法，其特征在于包含有下列步骤：/na)提供一晶圆片(10)，所述晶圆片具有多个用于垂直式共振腔面射型镭射的晶粒(20)，各所述晶粒的工作电流大于或等于1安培，所述晶圆片的晶粒位置对应于矩阵排列成第一数量(I)列及第二数量(J)行的第三数量个区域，各所述区域具有矩阵排列成第四数量(M)列及第五数量(N)行的第六数量个位置，第四数量(M)及第五数量(N)均大于或等于3，各所述区域的至少一所述位置设有一所述晶粒；/nb)点测各所述区域的所述第六数量个位置中的一特定位置的晶粒，直到位于各所述区域的所述特定位置的晶粒全部点测完毕，其中，各所述区域的所述特定位置相互对应；/nc)以所述第六数量个位置逐一作为所述特定位置重复进行所述步骤b)直到各所述区域内的晶粒点测完毕。/n
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