[发明专利]基于单节阶跃阻抗谐振器和缺陷地结构的微带低通滤波器在审
| 申请号： | 201910193349.4 | 申请日： | 2019-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN109768355A | 公开（公告）日： | 2019-05-17 |
| 发明（设计）人： | 张金;陈正宇;李玉魁;曹珂;程任翔;张冷 | 申请（专利权）人： | 金陵科技学院 |
| 主分类号： | H01P1/203 | 分类号： | H01P1/203 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 肖明芳 |
| 地址： | 210000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了基于单节阶跃阻抗谐振器和缺陷地结构的微带低通滤波器，包括中间介质基板、正面单节阶跃阻抗谐振器、正面馈电线、背面接地金属、背面刻蚀在接地金属上的缺陷地结构。该滤波器的设计方法为：设计正面单节阶跃阻抗谐振器实现低通滤波特性，该低通滤波具有高的频率选择特性，再结合刻蚀在背面的缺陷地结构，利用缺陷地结构具有陷波的特性，通过合理设计缺陷地结构的尺寸和个数实现宽阻带并保留高的频率选择特性的低通滤波器。基于所述的单节阶跃阻抗谐振器和缺陷地结构，可以设计出具有高的频率选择性、宽的阻带、体积小等性能优良的低通滤波器。 | ||
| 搜索关键词： | 缺陷地结构 阶跃阻抗谐振器 微带低通滤波器 频率选择特性 低通滤波器 低通滤波 接地金属 阻带 滤波器 频率选择性 背面刻蚀 中间介质 馈电线 体积小 基板 刻蚀 陷波 背面 保留 | ||
【主权项】：
1.基于单节阶跃阻抗谐振器和缺陷地结构的微带低通滤波器，其特征在于，包括中间介质基板(1)、单节阶跃阻抗谐振器(2)、直线形微带馈电线(5)和背面接地金属(3)；所述中间介质基板(1)为矩形；所述单节阶跃阻抗谐振器(2)、直线形微带馈电线(5)位于中间介质基板(1)的上表面，所述背面接地金属(3)位于中间介质基板(1)的下表面，在背面接地金属(3)上刻蚀有缺陷地结构(4)。
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